[发明专利]大直径多象限光电探测器制作方法

摘要

一种大直径多象限光电探测器制作方法，其步骤为：（A）按方法一制作出多象限光电探测器芯片，（B）对多象限光电探测器芯片进行检测，找出多象限光电探测器芯片上的不合格象限，（C）采用切割操作将不合格象限从多象限光电探测器芯片上切除，切除了不合格象限的多象限光电探测器芯片记为缺损件，（D）采用合格的象限与缺损件进行拼接，重新获得完整的多象限光电探测器芯片；本发明的有益技术效果是：使大直径、高性能的制导用多象限光电探测器可以采用拼接方式制作，避免多象限光电探测器因局部象限缺陷而整体报废，从而提高了成品率和优品率，降低了生产成本。

主权项

一种大直径多象限光电探测器制作方法，其特征在于：（A）按方法一制作出多象限光电探测器芯片，（B）对多象限光电探测器芯片进行检测，找出多象限光电探测器芯片上的不合格象限，（C）采用切割操作将不合格象限从多象限光电探测器芯片上切除，切除了不合格象限的多象限光电探测器芯片记为缺损件，（D）采用合格的象限与缺损件进行拼接，重新获得完整的多象限光电探测器芯片；所述方法一包括：1）提供硅衬底；2）在硅衬底表面生长SiO₂层；3）在硅衬底正面光刻出硼扩散区；4）对硼扩散区进行硼扩散，形成光敏区；5）在硅衬底正面淀积生长Si3N4层，然后在硅衬底正面光刻出磷扩散区；所述磷扩散区位于光敏区周围，磷扩散区的轮廓与光敏区轮廓匹配，磷扩散区与光敏区之间留有间隔；6）对硅衬底背面进行减薄抛光处理；7）对磷扩散区进行磷扩散处理，形成环极；对硅衬底背面进行磷扩散处理，形成n⁺接触层；8）在硅衬底表面生长氧化层；9）在光敏区上光刻出电极孔，同时，在环极上方光刻出与环极轮廓匹配的凹槽，然后去除硅衬底背面的氧化层，10）在硅衬底的正面和背面蒸发电极金属层；11）对硅衬底正面的电极金属层进行刻蚀分别形成金属电极和表面金属层，所述金属电极位于电极孔内，所述表面金属层位于环极上方的凹槽内；12）通过引线将表面金属层与硅衬底背面的电极金属连接；所述多象限光电探测器的直径为16~24mm；多象限光电探测器上，在周向上相邻的两个光敏区之间的间隔小于或等于150μm；所述多象限光电探测器用于激光制导领域；在周向上相邻的两个环极之间的间隔为30μm，光敏区与对应环极之间的间隔为300μm，环极宽度为60μm；步骤（C）中切割操作所用切刀的厚度为30μm，切割操作时的切口位于相邻两个环极之间。