[发明专利]一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510645745.8 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN105601121B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 吕建国;冯丽莎;江庆军;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C03C17/25 | 分类号： | C03C17/25;C04B41/50 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟;张燕秋 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜，该薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层，连续薄膜层直接生长在衬底上；纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸，呈现间隔分布的凸起峰和凹陷坑。该薄膜为非晶氧化物半导体ZnTiSnO薄膜。本发明还公开了该薄膜的制备方法，采用溶液化学方法，步骤包括将Zn(NO3)2·6H2O、SnCl2·2H2O+NH4NO3及C12H28O4Ti+NH4NO3分别溶解于二甲氧基乙醇溶剂中，分别加入乙酰丙酮、氨水溶液配成前驱体溶液，配得溶胶，然后旋涂于衬底上，并退火处理。该非晶氧化物半导体薄膜因为具有纳米结构，具有大的比表面积，有望应用于生物传感、气敏、紫外探测等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 纳米 结构 氧化物 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有纳米结构的非晶氧化物半导体薄膜，其特征在于：所述非晶氧化物半导体薄膜包括连续薄膜层和纳米结构层，连续薄膜层直接生长在衬底上，纳米结构层为连续薄膜层的纵向自然延伸；其中纳米结构层呈现为间隔分布的凸起峰和凹陷坑：凸起峰与连续薄膜层为一体，为连续薄膜层持续生长而成；不连续的凸起峰之间形成凹陷坑，凹陷坑有碗状和溶洞状两种形态；其中所述非晶氧化物半导体薄膜的化学式为：ZnxTiySnzOx+2y+2z，其中y大于0且小于1，且x+y+z＝1；且所述非晶氧化物半导体薄膜采用化学溶液方法制备，其中Ti的前驱体为C12H28O4Ti，并在薄膜生长中加入NH3·H2O促进C12H28O4Ti分解。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学，未经浙江大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510645745.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
