[发明专利]电容型半导体蓄电器在审
| 申请号： | 201510648027.6 | 申请日： | 2015-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106571242A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 朱大中 | 申请（专利权）人： | 朱大中 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200000 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是利用空穴型半导体可以储存电子的原理，开发出一种新型的电容型半导体蓄电器，它是一种新型蓄电器，它没有电化学问题。它有很大的潜力，值焦得重视。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 半导体 电器 | ||
【主权项】：
本发明是利用空穴型半导体可以储存电子的原理开发出一种新型的储蓄电能的蓄电器。它是一种物理型蓄电器，它没有锂电池的电化学问题。因此本发明要求保护的是利用空穴型半导体可以储存电子的原理在储蓄电能方面的应用的知识产权。
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