[发明专利]面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列

摘要

本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。

主权项

1.一种面发光型半导体激光器，该面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，该第一半导体多层膜反射器叠置在所述基板上，所述第一半导体多层膜反射器包括由具有高折射指数的高折射指数层以及具有低折射指数的低折射指数层构成的交替对；活性区域，该活性区域叠置在所述第一半导体多层膜反射器上或者叠置在所述第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，该第二半导体多层膜反射器叠置在所述活性区域上或者叠置在所述活性区域上方，所述第二半导体多层膜反射器包括由具有高折射指数的高折射指数层以及具有低折射指数的低折射指数层构成的交替对；腔室延伸区域，该腔室延伸区域介于所述第一半导体多层膜反射器与所述活性区域之间或者介于所述第二半导体多层膜反射器与所述活性区域之间，所述腔室延伸区域具有的光学厚度大于振荡波长，所述腔室延伸区域能够使腔室长度增加；以及载流子块层，该载流子块层介于所述腔室延伸区域与所述活性区域之间，所述载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层，所述第一载流子块层和第二载流子块层具有比所述活性区域和所述腔室延伸区域大的带隙，所述第一载流子块层具有比所述第二载流子块层大的带隙。