[发明专利]氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材有效
| 申请号： | 201510648721.8 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN105347800B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 召田雅实;松丸庆太郎;高桥小弥太;菊池僚;涩田见哲夫 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C22C29/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不使用特殊装置的、高密度且低氧量的氮化镓成形物及其制造方法以及氮化镓溅射靶材。根据第二实施方式，可以获得一种金属镓浸透氮化镓成形物，其特征在于，其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相，Ga/(Ga+N)的摩尔比为55％以上且80％以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 成形 及其 制造 方法 以及 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种金属镓浸透氮化镓成形物，其特征在于，其包含以各自的相的形式存在的氮化镓相和金属镓相，Ga/(Ga+N)的摩尔比为55％以上且80％以下，所述成形物中包含的空隙的总体积的30％以上被所述金属镓填满，成形物是指包含利用各种方法来使粉末硬化而成的物质的成形体。
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