[发明专利]一种图形转移方法

摘要

本发明提供了一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，包括：S1，在衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭第一偏压电源；S3，在刻蚀腔室内对表面形成有光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至特征图形转移至衬底上。该图形转移方法，可实现原位降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，不仅在很大程度上简化工艺、缩短工艺时间，减小设备成本；而且还可以进一步降低光刻胶图形的线条的线宽粗糙度，从而有利于图形的准确地转移至衬底上。

主权项

1.一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，其特征在于，包括以下步骤：S1，在所述衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，所述偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压电源，对所述光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺，而后关闭所述第一偏压电源；S3，在刻蚀腔室内对表面形成有所述光刻胶图形的衬底进行等离子体刻蚀工艺，直至所述特征图形转移至所述衬底上；在所述步骤S2和所述步骤S3中均采用电感耦合方式产生的等离子体；所述步骤S3还包括：切换所述偏压电源为所述刻蚀工艺对应的第二偏压电源并开启；其中，所述第一偏压电源为高压脉冲直流电源或者高压直流电源；所述第二偏压电源为射频电源；并且，所述激励电源用于激发所述刻蚀腔室内输入的工艺气体来形成等离子体；所述第一偏压电源用于向所述衬底提供负偏压，吸引正离子自各个方向注入所述光刻胶图形的各个外露表面，以实现对所述光刻胶图形进行等离子体浸没离子注入工艺；所述第二偏压电源用于向所述衬底提供负偏压，吸引正离子朝向所述衬底移动，以实现对所述衬底进行刻蚀。