[发明专利]一种C波段高增益全向天线微带三维版图拓扑架构

摘要

本发明涉及一种C波段高增益全向天线微带三维版图的拓扑架构，包括有1个全向天线支撑架(1)和1张微带PCB双面板(2)；全向天线支撑架(1)与微带PCB双面板(2)，通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉(3)紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其中：微带PCB双面板(2)，上面设置又有上微带馈电印制线(21)和上微带半波振子印制线(22)；微带PCB双面板(2)，下面设置又有下微带馈电印制线(23)、下微带半波振子印制线(24)和敷铜带(25)；制作出的C波段高增益全向天线具有体积小、驻波性能良好、增益高等特点。

主权项

1.一种C波段高增益全向天线，包括有1个全向天线支撑架(1)和1张微带PCB双面板(2)，全向天线支撑架(1)与微带PCB双面板(2)，通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉(3)紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其特征是：所述微带PCB双面板(2)，上面设置又有上微带馈电印制线(21)和上微带半波振子印制线(22)；所述上微带馈电印制线(21)，又包括有阻抗匹配单元211、辐射单元212、180度移相单元213、180度移相单元214和180度移相单元215；阻抗匹配单元211，引出用作全向天线整体的输入端口；所述阻抗匹配单元211、180度移相单元213、180度移相单元214和180度移相单元215沿所述微带PCB双面板(2)的底部到顶部的方向依次连接，所述辐射单元212为四个，其中第一个辐射单元212位于所述180度移相单元213右侧，且一端垂直连接于所述阻抗匹配单元211和180度移相单元213的连接处、另一端弯折后向上延伸，其中第二个辐射单元212位于所述180度移相单元213左侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元213和180度移相单元214的连接处、另一端弯折后向下延伸，其中第三个辐射单元212位于所述180度移相单元215右侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元214和180度移相单元215的连接处、另一端弯折后向上延伸，其中第四个辐射单元212位于所述180度移相单元215左侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元215的顶端、另一端弯折后向下延伸；所述微带PCB双面板(2)，下面设置又有下微带馈电印制线(23)、下微带半波振子印制线(24)和敷铜带(25)；所述下微带馈电印制线(23)，又包括有阻抗匹配单元231、辐射单元232、180度移相单元233、180度移相单元234和180度移相单元235；阻抗匹配单元231，引出用作全向天线整体的输入端口；所述阻抗匹配单元231、180度移相单元233、180度移相单元234和180度移相单元235沿所述微带PCB双面板(2)的底部到顶部的方向依次连接，所述辐射单元232为四个，其中第一个辐射单元232位于所述阻抗匹配单元231左侧，且一端垂直连接于所述阻抗匹配单元231和180度移相单元233的连接处、另一端弯折后向下延伸，其中第二个辐射单元232位于所述180度移相单元234右侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元233和180度移相单元234的连接处、另一端弯折后向上延伸，其中第三个辐射单元232位于所述180度移相单元234左侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元234和180度移相单元235的连接处、另一端弯折后向下延伸，其中第四个辐射单元232位于所述180度移相单元235右侧，且一端垂直连接于所述180度移相单元235的顶端、另一端弯折后向上延伸。