[发明专利]一种三维掺杂的氮化物发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510649184.9 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN105185879B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;寻飞林;邓和清;李志明;杜伟华;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种三维掺杂的氮化物发光二极管及其制作方法，包括衬底、N型氮化物、多量子阱、电子阻挡层以及P型氮化物，其特征在于所述P型氮化物采用三维掺杂，通过先外延生长三维纳米锥并将其侧壁蚀刻成纳米凹坑，然后对侧壁进行高浓度的Mg掺杂，增大Mg掺杂的界面面积和掺杂效率，再进行二维生长使三维的氮化物纳米锥合并，重复性地周期生长P型氮化物，形成周期性的三维纳米Mg掺杂界面，相比于传统的二维掺杂，三维纳米可有效提升Mg的掺杂和离化效率，提升发光二极管的发光效率和强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 掺杂 氮化物 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种三维掺杂的氮化物发光二极管，从下至上依次包括：衬底、N型氮化物、多量子阱、电子阻挡层以及P型氮化物，其特征在于：所述P型氮化物采用三维掺杂，通过先外延生长三维纳米锥并将其侧壁蚀刻成纳米凹坑，然后对侧壁进行高浓度的Mg掺杂，增大Mg掺杂的界面面积和掺杂效率，再进行二维生长使三维纳米锥合并，重复性地周期生长P型氮化物，形成周期性的三维纳米Mg掺杂界面。
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