[发明专利]一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构

摘要

本发明涉及一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，包括有1张上带状PCB单面板和1张下带状PCB双面板，从上至下依次通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其中：下带状PCB双面板，下面设置有第二敷铜镀银层，上面设置有第一上蛇形带状印制线、第二上蛇形带状印制线、第三上蛇形带状印制线、第一衰减补偿电路、第二衰减补偿电路和第一敷铜镀银层；上带状PCB单面板，朝上一面为第三敷铜镀银层，朝下一面为介质基板；制作出的U/V波段大功率宽带双定向耦合器，具有体积小、驻波性能良好、插入损耗低、可承受大功率等特点。

主权项

1.一种U/V波段大功率宽带双定向耦合器带状三维版图拓扑架构，包括有1张上带状PCB单面板(1)和1张下带状PCB双面板(2)，从上至下依次通过设置有安装定位孔h1、安装定位孔h2，并经铆钉(3)紧密衔接，相结合构成一个叠层式模块化结构整体，其特征是：a.所述下带状PCB双面板(2)，上面又分别设置有第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)及第一衰减补偿电路(24)、第二衰减补偿电路(25)和第一敷铜镀银层(26)，用以使正向耦合端口和反向耦合端口输出波动较小的射频功率；所述下带状PCB双面板(2)，下面设置有第二敷铜镀银层(27)，用以射频接地；b.所述上带状PCB单面板(1)，朝上一面设置为第三敷铜镀银层(11)；朝下一面为介质基板(12)，且介质基板(12)与下带状PCB双面板(2)中的第一上蛇形带状印制线(21)、第二上蛇形带状印制线(22)和第三上蛇形带状印制线(23)及第一衰减补偿电路(24)、第二衰减补偿电路(25)和第一敷铜镀银层(26)相衔接，用以构成一个叠层式模块化结构整体；所述上带状PCB单面板(1)，上面又设置有开窗W1、开窗W2、开窗W3和开窗W4；开窗W1用以为贴片电阻R7提供安装空间，开窗W2用以为衰减补偿电路25的贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2提供安装空间，开窗W3用以为贴片电阻R8提供安装空间，开窗W4用以为第一衰减补偿电路(24)的贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容C1提供安装空间；c.所述第一衰减补偿电路(24)，又包括有贴片电阻R1、贴片电阻R2、贴片电阻R3和贴片电容C1，为T型电路结构；贴片电阻R1、贴片电阻R2同时与贴片电阻R3、贴片电容C1相交于C点；贴片电阻R1的A端，连接至第四 非耦合线(223)；贴片电阻R2的B端，引出用作耦合器整体的反向耦合端口；贴片电阻R3、贴片电容C1，并联接第一敷铜镀银层(26)，用以射频接地；d.所述第二衰减补偿电路(25)，又包括有贴片电阻R4、贴片电阻R5、贴片电阻R6和贴片电容C2，为T型电路结构；贴片电阻R4、贴片电阻R5同时与贴片电阻R6、贴片电容C2相交于C点；贴片电阻R4的A端，连接至第五 非耦合线(231)；贴片电阻R5的B端，引出用作耦合器整体的正向耦合端口；贴片电阻R6、贴片电容C2，并联接第一敷铜镀银层(26)，用以射频接地；所述第二上蛇形带状印制线(22)，又包括有第三非耦合线(221)、第二耦合线(222)和第四非耦合线(223)；第三非耦合线(221)，引出连接至50欧姆贴片电阻R7接第一敷铜镀银层(26)；第四非耦合线(223)，连接至第一衰减补偿电路(24)，引出用作耦合器整体的反向耦合端口；第二耦合线(222)，用以与带状印制线(21)的第一耦合线(212)相耦合；所述第三上蛇形带状印制线(23)，又包括有第五非耦合线(231)、第三耦合线(232)和第六非耦合线(233)；第五非耦合线(231)，连接至第二衰减补偿电路(25)，引出用作耦合器整体的正向耦合端口；第六非耦合线(233)，连接至50欧姆贴片电阻R8接第一敷铜镀银层(26)；第三耦合线(232)，用以与带状印制线(21)的第一耦合线(212)相耦合。