[发明专利]一种改善晶圆粗糙度的方法在审
| 申请号： | 201510652465.X | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106567130A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 代迎伟;金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C25D7/12;C25F3/30;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 施浩 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种改善晶圆粗糙度的方法，包括预湿润步骤；电化学抛光步骤；电镀步骤；以及干燥步骤；其中，电镀步骤中向晶圆表面电镀的金属层厚度不超过15nm。本发明提供的方法能够去除晶圆表面的金属层且不会损伤晶圆；同时还能够改善晶圆表面的粗糙度，使晶圆更加光洁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 粗糙 方法 | ||
【主权项】：
一种改善晶圆粗糙度的方法，其特征在于，包括：预湿润步骤；电化学抛光步骤；电镀步骤；以及干燥步骤。
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