[发明专利]一种C波段低压超辐射产生装置有效

专利信息
申请号: 201510652612.3 申请日: 2015-10-10
公开(公告)号: CN105140087B 公开(公告)日: 2018-08-14
发明(设计)人: 张运俭;孟凡宝;丁恩燕;杨周炳;李正红;王汉斌;石小燕;陆巍;张晋琪;吴朝阳;李春霞 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院应用电子学研究所
主分类号: H01J25/34 分类号: H01J25/34;H01J23/04
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 代理人: 周庆佳
地址: 621999*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种C波段低压超辐射产生装置,包括:磁体,其为两端设置有封盖的圆柱体空腔;返波管,其设置在所述磁体内与所述磁体形成同轴结构;阴极,其设置在磁体内,且与返波管的另一端相对设置以向返波管发射电子束;天线,其与磁体密封连接;真空泵,其与所述装置的内部连通;其中,返波管内沿阴极的电子发射端依次设置有反射腔、漂移段、慢波结构和阻抗变换。本发明利用BWO(返波管)的超辐射机制可以产生C波段窄脉冲的宽谱微波辐射,这样的微波辐射可以同时满足在电磁干扰方面的频谱覆盖和远距离辐射两方面的要求,而且体积比较小,利于装置的小型化;同时,采用低压即可实现阴极电子束的产生。
搜索关键词: 一种 波段 低压 辐射 产生 装置
【主权项】:
1.一种C波段低压超辐射产生装置,其特征在于,包括:磁体,其为两端设置有封盖的圆柱体空腔;返波管,其设置在所述磁体内,所述返波管的一端与所述磁体右端封盖的内侧连接使所述返波管与所述磁体形成同轴结构;阴极,其设置所述磁体的左端封盖的内侧;且与所述返波管的另一端相对设置以向返波管发射电子束;所述阴极分别通过引线与加热电源和外部20~30kV低压电源连接;天线,其与所述磁体右端封盖的外侧密封连接,且与所述返波管连通以发射辐射信号;所述天线的外侧密封设置;真空泵,其与所述装置的内部连通以使装置腔体内抽真空形成一定的真空度;其中,所述返波管内沿所述阴极的电子发射端依次设置有反射腔、漂移段、慢波结构和阻抗变换;所述反射腔的长度为22mm,半径为35mm;漂移段的长度为36mm,半径为30mm;慢波结构的平均半径为30mm,波纹幅值为5.5mm,长度为300~400mm;阻抗变换的长度为16mm,最小直径为30mm,最大直径为34mm;电流环,其设置在所述磁体的左端封盖的外侧以检测阴极的电流;真空规,其与所述装置内部连通以测量磁体空腔内的真空度;绝缘子,其设置在所述引线进入装置空腔内的一端并与装置空腔内密封连接。
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