[发明专利]侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法

摘要

侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法，属于半导体技术领域。通过外延片上的金属键合层和永久衬底上的金属键合层，将外延片键合到永久衬底上，形成键合的半制品；再去除键合好的半制品上的临时衬底、缓冲层和截止层，露出欧姆接触层；并蚀刻图形化欧姆接触层、制作n型扩展电极、制作主电极和背电极；在各颗LED芯片外延层的四周蚀刻出至少达到p‑GaP窗口层的切割道，再对外延层的表面和侧壁作粗化处理，以使外延层表面和侧壁都是呈粗化状。本发明工艺简单、方便生产，可提高电光转换效率，延长LED的寿命，增大可视角度，提高LED屏的显示效果。

主权项

1.侧壁粗化的AlGaInP基LED的制造方法，包括以下步骤：1）在临时衬底上依次外延生长缓冲层、截止层、n‑GaAs欧姆接触层、n型粗化层、n‑AlGaInP电流扩展层、n‑AlGaInP限制层、MQW多量子阱有源层、p‑AlGaInP限制层、p‑GaP窗口层，形成外延片；在外延片的p‑GaP窗口层上依次制作ODR反射镜和金属键合层；2）在永久衬底正面制作金属键合层；3）通过外延片上的金属键合层和永久衬底上的金属键合层，将外延片键合到永久衬底上，形成键合的半制品；4）去除键合好的半制品上的临时衬底、缓冲层和截止层，露出n‑GaAs欧姆接触层；5）蚀刻出图形化的n‑GaAs欧姆接触层，并在n‑GaAs欧姆接触层表面制作n型扩展电极；6）在n型扩展电极上制作主电极；7）在永久衬底背面制作背电极；其特征在于：在所述步骤6）后，在各颗LED芯片外延层的四周蚀刻出至少达到p‑GaP窗口层、至多达到ODR反射镜介质膜层的切割道，再对外延层的表面和侧壁作粗化处理，所述侧壁与表面垂直，且各外延层宽度一致，仅外延层具有粗化状。