[发明专利]硅通孔的测试器件及其测试方法有效
| 申请号： | 201510653699.6 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106571311B | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种硅通孔的测试器件及其测试方法，其中测试结构包括：本发明利用层间介质层中的无应力点和硅通孔获得第一区域，在第一区域内外以及无应力点设置测试结构以获得相应位置层间介质层的击穿特性，通过比较不同位置层间介质层的击穿特性，判断所述硅通孔的测试器件中应力与离子扩散对层间介质层的影响，实现了将硅通孔的测试器件中应力与离子扩散对层间介质层的影响的分别测试，方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 测试 器件 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅通孔的测试器件，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底表面的层间介质层，所述层间介质层中包含有第一硅通孔和与所述第一硅通孔相邻的第二硅通孔；所述层间介质层中还包括至少一个无应力点，所述无应力点与所述第一硅通孔和所述第二硅通孔连线围成第一区域，所述第一硅通孔与所述第二硅通孔以及所述无应力点均位于所述第一区域的顶点上；位于层间介质层内的多个测试结构，用于测试所述层间介质层的击穿特性，所述多个测试结构包括：位于所述无应力点的第一测试结构；位于所述第一区域内的第二测试结构；位于所述第一区域外的第三测试结构和第四测试结构，所述第三测试结构与第一硅通孔的距离等于所述无应力点与第一硅通孔的距离；所述第四测试结构与所述第一硅通孔的距离以及所述第四测试结构与所述第二硅通孔的距离均大于预设距离，以使所述第四测试结构获得的所述层间介质层的击穿特性不受到应力和离子扩散的影响。
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