[发明专利]一种金属硅冶炼深度除杂的方法在审
| 申请号： | 201510654085.X | 申请日： | 2015-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN105110337A | 公开（公告）日： | 2015-12-02 |
| 发明（设计）人： | 周继红;丁卫民;林祖徳 | 申请（专利权）人： | 怒江宏盛锦盟硅业有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 673100 云南省怒*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明属于金属硅冶炼工艺领域，具体涉及一种金属硅冶炼深度除杂的方法，包括组合絮剂配置、高温熔化、吹氧精炼、取样检测、深度除铝和过滤除杂六个步骤。本发明可在传统精炼过程中将金属硅中的铝含量降控在0.18%以内，可在不过多增加精炼程序的情况下使冶金级硅提升到化学级硅的品级，效果比较好、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 冶炼 深度 方法 | ||
【主权项】：
一种金属硅冶炼深度除杂的方法，其特征在于，按照以下步骤进行：（1）组合絮剂配置：将镁盐和钠盐按照一定比例混合成组合絮剂备用；（2）高温熔化：将含有杂质的硅矿石投入冶炼炉中，在温度为1700℃～1800℃的环境下熔化； （3）吹氧精炼：保持冶炼炉内的温度保持在1600℃～1700℃，将充足的氧气通入硅水中；（4）取样检测：保持冶炼炉内的温度保持在1600℃～1650℃，等精炼到一定程度时，取样分析铝含量；（5）深度除铝：若硅水内铝含量≥11%时，打开炉口放出硅水，当硅水流到硅包三分之一时开始投入准备好的组合脱铝剂总量的三分之一，硅水流到硅包三分之二时再次投入准备好的组合脱铝剂总量的三分之一，硅水流到硅包五分之四时再次投入准备好的组合脱铝剂总量的三分之一，投料过程中保持硅水温度在1650℃左右，且需要在30分钟内完成；（6）过滤除杂：将深度除铝后的硅水内的熔渣除去。
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