[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510654252.0 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106571299B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种PMOS晶体管及其形成方法，本发明通过依次位于所述栅介质层上的第一PMOS功函数层和第二PMOS功函数层构成PMOS功函数，且第二PMOS功函数层的层密度大于所述第一PMOS功函数层的层密度。因此第二PMOS功函数层的阻挡能力比所述第一PMOS功函数层的阻挡能力强，所以所述第二PMOS功函数层能够有效的阻挡NMOS功函数层中金属离子的扩散，防止NMOS功函数层中金属离子影响PMOS功函数层的性能，进而改善所述形成PMOS晶体管的性能。此外，还可以通过改变所述第一PMOS功函数层和所述第二PMOS功函数层的厚度，实现对所述PMOS晶体管阈值电压的调节，降低了调节PMOS晶体管阈值电压的难度，降低了器件制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种PMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成表面设置有栅介质层的基底；形成PMOS功函数层，所述PMOS功函数层包括依次位于所述栅介质层上的第一PMOS功函数层和第二PMOS功函数层，所述第二PMOS功函数层的层密度大于所述第一PMOS功函数层的层密度；形成覆盖所述PMOS功函数层的NMOS功函数层；形成位于所述NMOS功函数层上的栅电极层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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