[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，包括：在形成第一伪栅结构和第二伪栅结构之前，形成第一阻挡层并去除所述第一晶体管区域的第一阻挡层，这样在后续工艺中形成第一伪栅结构和第二伪栅结构时，第一阻挡层置于第二伪栅结构下方，而在第一伪栅结构和第二伪栅结构侧壁不会出现第一阻挡层，只出现第二阻挡层；也就是说本发明形成的半导体结构中，在所述第一应力层与所述第一栅极结构之间及所述第二应力层与所述第二栅极结构之间均只有单层阻挡层。因此，减小了后续形成的第一栅极结构与第一应力层的距离以及第二栅极结构与第二应力层之间的距离，从而增加了晶体管的沟道应力，提高了沟道载流子的迁移速率。

主权项

一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一晶体管区域和第二晶体管区域；在所述衬底上形成第一阻挡层；去除第一晶体管区域的第一阻挡层并保留第二晶体管区域的第一阻挡层；在第一晶体管区域的衬底上形成第一伪栅结构并在第二晶体管区域的第一阻挡层上形成第二伪栅结构；在第一伪栅结构两侧的第一晶体管区域中形成第一凹槽；在所述第一凹槽中形成第一应力层；在所述第一伪栅结构、第一应力层、第一阻挡层和第二伪栅结构上形成第二阻挡层；去除第二晶体管区域衬底上的第二阻挡层和第一阻挡层，保留第一晶体管区域的第二阻挡层和第二伪栅结构侧壁上的第二阻挡层；在第二伪栅结构两侧的第二晶体管区域中形成第二凹槽；在所述第二凹槽中形成第二应力层。