[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510654312.9 | 申请日： | 2015-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN106571389B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 黄河;克里夫.德劳利;李海艇;朱继光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，本发明通过在设置在基底内的第一栅极结构，并通过设置在第一层间介质层和所述隔离结构内的第一插塞实现所述第一栅极结构与外部电路的连接，并在沟道层表面设置第二栅极结构，也就是说，本发明所提供的晶体管包括位于沟道层上下两侧的两个栅极结构，两个栅极结构共用源区或漏区，因此能够使沟道层形成有栅极结构的两面均分布有沟道。所以所述晶体管源区和漏区之间的导通电流能够分布沟道层的两面，从而增大所述晶体管漏极电流，进而减小所述晶体管的导通电阻，改善所述晶体管所形成芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底内形成有第一栅极结构、覆盖所述第一栅极结构的沟道层，所述沟道层内形成有隔离结构；在所述沟道层表面形成第二栅极结构；在所述第二栅极结构两侧的沟道层内形成源区或漏区；形成覆盖所述基底和第二栅极结构的第一层间介质层；刻蚀所述第一层间介质层和所述隔离结构，以形成能露出所述第一栅极结构的第一接触孔；刻蚀所述第一层间介质层以形成露出第二栅极结构的第二接触孔和露出漏区的第三接触孔；向所述第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔中填充导电材料以分别形成第一插塞、第二插塞和第三插塞。
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