[发明专利]一种消除SiO2膜厚下降的方法

摘要

本发明属于二氧化硅薄膜半导体制备设备领域，具体地来讲为一种消除SiO2膜厚下降的方法。包括采用等离子处理设备，该设备包括喷淋头与上盖板，所述喷淋板与上盖板之间通过多个螺栓固定；将喷淋头与上盖板组装后，采用螺栓通过对称固定的方式将螺栓松动地将喷淋头与上盖板固定；加大螺栓的扭矩，增加至5-8N之间。本发明通过增大喷淋头螺钉扭矩消除SiO2膜厚下降趋势问题的方法，通过增大喷淋头螺钉扭矩时设备不仅能沉积膜厚稳定的SiO2薄膜，也可以沉积膜厚稳定的SiO2厚膜。通过本发明的方法，能够简单有效地消除SiO2厚膜的膜厚下降趋势。

主权项

一种消除SiO2膜厚下降的方法，其特征在于，包括：采用等离子处理设备，该设备包括喷淋头与上盖板，所述喷淋板与上盖板之间通过多个螺栓固定；将喷淋头与上盖板组装后，采用螺栓通过对称固定的方式将螺栓松动地将喷淋头与上盖板固定；加大螺栓的扭矩，增加至5‑8N之间。