[发明专利]一种腔体MEMS器件的晶圆级封装结构及封装方法在审
申请号: | 201510656865.8 | 申请日: | 2015-10-12 |
公开(公告)号: | CN105174195A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 饶杰 | 申请(专利权)人: | 美新半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | B81B1/00 | 分类号: | B81B1/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 庞聪雅 |
地址: | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种腔体MEMS器件的晶圆级封装结构及其封装方法,其包括盖板圆片,其具有第一水平面、第二水平面、第一凹槽、第一再分布层和第二再分布层,第一再分布层上设置有凸起部;集成电路圆片,其具有第三水平面和第四水平面,所述第三水平面上形成有第二凹槽,所述第三水平面上设置有衬垫;连接所述盖板圆片和集成电路圆片的连接部,所述第一凹槽和第二凹槽形成一空腔。本发明的腔体MEMS器件的可靠性提升,器件尺寸缩小,圆片利用率高,成本较低,器件形状规则,TSV/RDL工艺在cap上,与Asic/MEMS圆片分离,可单独控制工艺良率,无复杂融合设计要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 mems 器件 晶圆级 封装 结构 方法 | ||
【主权项】:
一种腔体MEMS器件的晶圆级封装结构,其特征在于:其包括:一盖板圆片,其具有第一水平面和第二水平面,所述第一水平面上形成有第一凹槽,自所述第一凹槽的底部至所述第二水平面开设有TSV通孔,自所述第一水平面至所述第一凹槽的底部分布有第一再分布层,所述第一再分布层覆盖所述TSV通孔,所述第一水平面上的第一再分布层上设置有凸起部,所述第二水平面上分布有第二再分布层,所述第二再分布层覆盖所述TSV通孔,所述第二水平面上设置有I/O引出端;一集成电路圆片,其具有第三水平面和第四水平面,所述第三水平面上形成有第二凹槽,所述第三水平面上设置有衬垫;一连接部,其设置在所述盖板圆片的第一水平面和集成电路圆片的第三水平面之间,具有第一连接部和第二连接部,所述盖板圆片和集成电路圆片通过第一连接部相连形成物理连接,同时所述第一凹槽和第二凹槽形成一空腔,在所述盖板圆片和集成电路圆片连接的同时,所述凸起部和衬垫也连接在一起形成第二连接部,实现盖板圆片和集成电路圆片的导电连接。
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