[发明专利]一种金属碳化硅接触的结构在审
| 申请号： | 201510656871.3 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106571385A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创;黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属碳化硅接触的结构，包括以下特征最少由两种不同的金属碳化硅接触组成的，其中一种是金属与少缺陷碳化硅晶面的接触，另一种是金属与多缺陷碳化硅晶面的接触，电流流经接触时是有两条通道的，一条通度是通过少缺陷晶面接触，另一通道是经过多缺陷晶面接触，然后流进旁边完好晶体结构的导带，之后流进碳化硅少缺陷体内成为电流的一部份，往往这部份会成为构成电流的主要部份，因为电子是相对较很容易从金属流进多缺陷区再流进旁边少缺陷体内的，从而大大降低比接触电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 碳化硅 接触 结构 | ||
【主权项】：
一种金属碳化硅接触的结构，其特征在于，最少由两种不同的金属碳化硅接触组成的：1.一种是少缺陷碳化硅晶面接触；2.一种是多缺陷碳化硅晶面接触；3.少缺陷碳化硅晶面接触与多缺陷碳化硅晶面接触相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京励盛半导体科技有限公司，未经南京励盛半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510656871.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
