[发明专利]一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺

摘要

本发明涉及一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺，包括以下步骤先将碳化硅表面清洗干净，在沉积介质层前，要将碳化硅表面的氧原子去掉，剩下以硅原子为主的表面，用原子层沉积法或分子束外延法在碳化硅的表面沉积一层氮化硅(SiN)，跟着再用原子层沉积法或分子束外延法沉积一层硅，然后用CVD法沉积一层多晶硅或非晶态硅，接着用热氧化法把SiN层之上的硅全部氧化掉，这氧化层与氮化硅层共同组成栅极介质层，在形成氧化层后，可以进行各种高温退火如氢退火，氮退火，磷退火，或各种组合如氢+氮+磷的退火等。

主权项

一种碳化硅半导体器件的栅极介质层的制造工艺，其特征在于，最少包括以下步骤：1.沉积第一层介质层，厚度为3层至30层该介质的原子层；2.然后用CVD法沉积一层多晶硅或非晶态硅，多晶硅层或非晶态硅的厚度是当该层硅完全热氧化掉后形成所需的氧化层厚度；3.接着用热氧化法把第一层介质层之上的硅全部氧化掉，这氧化层与第一层介质层共同组成栅极介质层；4.形成氧化层后可以进行各种高温退火如氢退火，氮退火，磷退火，或各种组合如氢+氮+磷的退火，还可使用离子注入法把有关离子注进氧化层来退火，也可把有关的等离子体引入氧化层来退火等。