[发明专利]一种锗基CMOS的制备方法

摘要

本发明公开了一种锗基CMOS的制备方法，属于半导体器件领域。该方法利用不同的钝化方法处理CMOS中的NMOSFETs与PMOSFETs，即PMOSFETs中使用有利于空穴迁移率提高的GeOx(其中0<x≤2)钝化层，而NMOSFETs中使用有利于电子迁移率提高的氮钝化，同时实现两种载流子迁移率的提高。本发明的工艺完成与常规的锗工艺兼容，易于实现。

主权项

一种锗基CMOS的制备方法，包括如下步骤：1)锗基衬底上阱的制备，即N阱和P阱：1‑1)对锗基衬底进行清洗，在锗基衬底上淀积注入掩蔽层；1‑2)注入所需的杂质并激活；1‑3)去除注入掩蔽层；2)隔离结构形成：2‑1)场区隔离槽形成；2‑2)场区氧化物淀积；3)PMOS器件结构形成：3‑1)PMOS器件有源区开孔，用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度；3‑2)GeOx钝化层形成，其中0<x≤2；3‑3)淀积栅介质；3‑4)淀积栅电极；4)淀积保护层SiO₂；5)去除NMOS器件区域上方的SiO₂及栅金属；6)NMOS器件结构形成：6‑1)NMOS器件有源区开孔，用牺牲氧化的方法改善衬底表面粗糙度；6‑2)氮钝化形成；6‑3)淀积栅电极；6‑4)淀积栅金属；6‑5)光刻保护NMOS器件区域的栅金属，去除其余区域栅电极，及下方的保护层SiO₂；7)图形化栅电极形成：8)源、漏及接触形成：8‑1)形成侧墙结构；8‑2)源、漏注入及激活；8‑3)隔离层淀积、开孔、淀积接触金属。