[发明专利]一种多晶多孔VO2薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种多晶多孔VO₂薄膜的制备方法，提高器件可靠性的方法，它是针对高氧含量的氧化钒薄膜进行退火处理，形成纳米多孔结构，利用这种纳米多孔结构为二氧化钒相变及逆相变过程提供自由体积，以充分释缓因体积膨胀或收缩而产生的相变应力，即可避免应力反复加载可能导致薄膜开裂或从基体剥落而导致器件可靠性降低的问题，以显著提高其使用寿命。不仅如此，纳米孔洞对应力的释缓作用也有利于促进相变过程，降低相变温度。本发明的技术思路简单，薄膜的性能稳定，器件的寿命可显著延长。本发明公开了纳米多孔薄膜的制备方法及其对相变应力释缓的技术思路。

主权项

一种多晶多孔VO₂薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选用硅片或玻璃作为衬底，镀膜前进行清洗处理；2)以Ar气作为溅射气氛，氧气作为反应气体，采用直流电源溅射金属钒靶，得到沉积态非晶氧化钒薄膜；3)将沉积态非晶氧化钒薄膜放到退火炉中进行退火处理，形成多晶多孔VO₂薄膜。