[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510658749.X | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106571390B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。由此获得的半导体结构，由于使得氘进入栅氧化层中，从而在栅氧化层的界面处形成了稳定的共价键，有效改善了悬空键存在的问题；此外，能够提高器件在面对热载流子效应时的恢复能力，降低了热载流子效应对器件性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体结构 虚设栅极 栅氧化层 热载流子效应 源漏区域 衬底 恢复能力 器件性能 栅极结构 共价键 界面处 悬空键 去除 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底中虚设栅极两侧形成源漏区域，所述源漏区域掺杂有氘；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。
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