[发明专利]磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器在审
| 申请号： | 201510659034.6 | 申请日： | 2015-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN105355778A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 韩秀峰;吴昊;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/04;G01K7/36;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及诸如磁电隔离器、磁存储器、磁电流传感器和磁温度传感器之类的自旋电子学器件。在一些实施例中，一种磁电隔离器可包括：第一电极层，其在施加有第一电流时产生自旋流；磁性绝缘层，其接触所述第一电极层，并且所述第一电极层产生的自旋流在所述磁性绝缘层中激发磁子流；以及第二电极层，其接触所述磁性绝缘层，并且与所述第一电极层电隔离开，所述第二电极层将所述磁性绝缘层中传输的磁子流转变为所述第二电极层中的自旋流，进而生成电信号。在另一些实施例中，所述自旋电子学器件还可以是磁存储器、磁电流传感器、磁温度传感器等。 | ||
| 搜索关键词： | 磁电 隔离器 磁存储器 流传 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种磁电隔离器，包括：第一电极层，其在施加有第一电流时产生自旋流；磁性绝缘层，其接触所述第一电极层，并且所述第一电极层产生的自旋流在所述磁性绝缘层中激发磁子流；以及第二电极层，其接触所述磁性绝缘层，并且与所述第一电极层电隔离开，所述第二电极层将所述磁性绝缘层中传输的磁子流转变为所述第二电极层中的自旋流，进而生成电信号。
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