[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201510660740.2 | 申请日: | 2010-11-29 |
公开(公告)号: | CN105185781B | 公开(公告)日: | 2018-06-22 |
发明(设计)人: | 堤聪明;船户是宏;奥平智仁;山形整人;内田明久;铃木智久;钟江义晴;寺崎健 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;王娟娟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 将具有利用了基准电阻的振荡电路的半导体芯片(CP1)树脂封固而形成半导体器件。振荡电路利用基准电阻生成基准电流,根据该基准电流和振荡部的振荡频率生成电压,振荡部以与所生成的电压相应的频率进行振荡。在由半导体芯片(CP1)的主面的第1边(S1、S2、S3、S4)、连接第1边的一端与半导体芯片的主面的中心(CT1)而成的第1线(42、43、44、45)、连接第1边的另一端与半导体芯片的主面的中心而成的第2线(42、43、44、45)所包围的第1区域(RG1、RG2、RG3、RG4)内,通过在垂直于第1边的第1方向(Y)上延伸的多个电阻体形成基准电阻。 | ||
搜索关键词: | 半导体芯片 基准电阻 半导体器件 基准电流 振荡电路 振荡部 振荡频率 电阻体 树脂 振荡 封固 垂直 包围 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,具有被树脂封固的半导体芯片,其特征在于,所述半导体芯片具有振荡电路,所述振荡电路具有:利用基准电阻将电压转换成电流的电压‑电流转换部;根据来自所述电压‑电流转换部的输入电流和振荡部的振荡频率生成电压的电压生成部;和以与来自所述电压生成部的输入电压相应的频率进行振荡的所述振荡部,在所述电压‑电流转换部中,通过对所述基准电阻施加基准电压来生成基准电流,将与所述基准电流相应的电流作为所述输入电流而输入到所述电压生成部,所述半导体芯片的主面中,由所述半导体芯片的所述主面的第1边、连接所述第1边的一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第1线、和连接所述第1边的另一端与所述半导体芯片的所述主面的中心的第2线围成第1区域,所述基准电阻在所述第1区域内由在垂直于所述第1边的第1方向上延伸的多个电阻体形成,所述电阻体分别通过在所述第1方向上延伸的第1导电体图案而形成,所述多个电阻体分别通过与所述第1导电体图案同层或不同层的第2导电体图案而串联连接,所述第2导电体图案在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸,将邻接的所述电阻体彼此连接的所述第2导电体图案的电阻值为所述电阻体的电阻值的1/10以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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