[发明专利]静电放电保护装置及制造静电放电保护装置的方法有效
| 申请号： | 201510660962.4 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN106549012B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王礼赐;赵美玲;唐天浩;苏冠丞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种静电放电保护装置及制造静电放电保护装置的方法。该静电放电保护装置包含阳极、阴极、抗负压晶体管及抗正压晶体管。阳极耦接至输入端，而阴极耦接至地端。抗负压晶体管包含N井区。抗正压晶体管包含N井区。抗正压晶体管的N井区浮接至抗负压晶体管的N井区。抗负压晶体管及抗正压晶体管以背对背的方式串接于阳极与阴极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电放电保护装置，包含：一阳极，耦接至一输入端；一阴极，耦接至一地端；一第一抗负压晶体管，包含一N井区；及一第一抗正压晶体管，包含一N井区，浮接至该第一抗负压晶体管的该N井区；其中：该第一抗负压晶体管及该第一抗正压晶体管以背对背的方式串接于该阳极与该阴极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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