[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201510661910.9 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105140299A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 徐晓娜 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域，其可解决现有的双栅或浮栅结构的薄膜晶体管结构复杂、制备工艺麻烦的问题。本发明的薄膜晶体管包括：有源区；栅极和栅绝缘层，所述栅极和栅绝缘层设于有源区上下两侧中的一侧；设于所述有源区上下两侧中另一侧的浮栅层，所述浮栅层包括量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：有源区；栅极和栅绝缘层，所述栅极和栅绝缘层设于有源区上下两侧中的一侧；设于所述有源区上下两侧中另一侧的浮栅层，所述浮栅层包括量子点。
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