[发明专利]一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201510662076.5 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105304662A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 林峰;李全宝 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余毅勤 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背照式图像传感器晶圆、芯片及其制造方法，其中，所述背照式图像传感器晶圆包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方，且用于采集可见光。所述背照式图像传感器芯片由所述背照式图像传感器晶圆制得。由此即使在暗光条件下，所述背照式图像传感器晶圆及芯片也能获得较佳的图像采集性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背照式 图像传感器 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种背照式图像传感器晶圆，其特征在于，包括：载体晶圆；第一器件晶圆，所述第一器件晶圆设置于所述载体晶圆上方，且用于采集近红外光；第二器件晶圆，所述第二器件晶圆设置于所述第一器件晶圆上方，且用于采集可见光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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