[发明专利]离子注入阻挡层的制作方法有效
| 申请号： | 201510662096.2 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105118772B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;朱轶铮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入阻挡层的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成抗反射层；在所述抗反射层上形成有图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行第一刻蚀工艺，去除一部分厚度的抗反射层；对所述第一刻蚀工艺后的抗反射层进行表面硬化工艺，在所述光刻胶层以及所述抗反射层表面形成保护层；进行第三刻蚀工艺，去除所述半导体表面剩余的抗反射层。本发明解决了由于抗反射层的厚度负载引起的某些抗反射层被过刻蚀的情况，改善了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 阻挡 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入阻挡层的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成抗反射层；在所述抗反射层上形成有图形的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行第一刻蚀工艺，去除一部分厚度的抗反射层；对所述第一刻蚀工艺后的抗反射层进行表面硬化工艺，在所述光刻胶层以及所述抗反射层表面形成保护层；进行第三刻蚀工艺，去除所述半导体衬底表面剩余的抗反射层，所述保护层用于保护所述抗反射层的图形密度小的区域在所述第三刻蚀工艺中不被过刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
