[发明专利]半导体器件及其检测方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其检测方法，其中，该半导体器件包括用于电容检测的半导体器件以及双模式半导体器件，该用于电容检测的半导体器件通过相同的第一离子敏感膜和第二离子敏感膜杜绝离子活度的影响，从而实现对待测物的电容的检测，该双模式半导体器件基于该用于电容检测的半导体器件，通过施加参比电极来实现该双模式半导体器件，可以实现对待测物的电容和离子活度的检测；其中在一种较好的实施方式中，还引入了梳齿电容，以使得该双模式半导体器件的工作更加准确。采用该种结构的半导体器件及其检测方法，实现了对待测物的电容和离子活度的同时检测，提高了对测量的准确性，有利于后续对待测物的研究，器件结构简单，应用范围广泛。

主权项

1.一种基于半导体器件实现待测物的电容检测的方法，所述的半导体器件包括衬底、设置于衬底上的源极、漏极，其特征在于，所述的半导体器件还包括电容检测部，所述的电容检测部至少包括第一离子敏感膜及与所述的第一离子敏感膜相同的第二离子敏感膜，所述的第一离子敏感膜与所述的第二离子敏感膜之间设置有待测物，所述的第一离子敏感膜与所述的衬底相连接，所述的第二离子敏感膜与栅电源相连接，所述的电容检测部用以基于待测物在所述的电容检测部的填充，使得电容检测部两端的电容大小改变，从而所述的半导体器件的阈值电压改变，所述的待测物为液体，两个离子敏感膜与待测物相接处的界面所产生的双电荷层所导致的电势变化相互抵消，使得在基于所述的半导体器件实现待测物的电容检测时，通过以下方法实现：在所述的栅电源和源极之间施加一恒定的第一电压，且在所述的半导体器件的源极和漏极之间施加一恒定的第二电压；检测在所述的漏极和所述的源极之间流过的电流以获取所述的待测物的电容；或者：在所述的栅电源和源极之间施加一恒定的第三电压，且在所述半导体器件的源极和漏极之间施加一恒定的第一电流，检测所述的半导体器件的源极和漏极之间的电压以获取所述的待测物的电容。