[发明专利]小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法在审
| 申请号： | 201510662264.8 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105206510A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 王剑;耿金鹏;戴蕴青 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/266 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法，包括：在硅片上涂布一层离子注入阻挡层；在离子注入阻挡层上然后涂布一层蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上涂布一层光刻胶；在光刻机设备上通过曝光工艺，在光刻胶上形成具有预定线宽的光刻胶图案；通过蚀刻工艺，利用光刻胶图案在蚀刻阻挡层中刻出与光刻胶图案相应的蚀刻阻挡层图案，随后去除光刻胶；通过蚀刻工艺，利用蚀刻阻挡层图案在离子注入阻挡层中刻出与蚀刻阻挡层图案相应的离子注入阻挡层图案，随后去除蚀刻阻挡层；利用形成有离子注入阻挡层图案的离子注入阻挡层对硅片执行离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 小线宽 超高 离子 注入 阻挡 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法，其特征在于包括：首先，在硅片上涂布一层离子注入阻挡层；随后，在离子注入阻挡层上然后涂布一层蚀刻阻挡层；随后，在蚀刻阻挡层上涂布一层光刻胶；随后，在光刻机设备上通过曝光工艺，在光刻胶上形成具有预定线宽的光刻胶图案；随后，通过蚀刻工艺，利用光刻胶图案在蚀刻阻挡层中刻出与光刻胶图案相应的蚀刻阻挡层图案，随后去除光刻胶；随后，通过蚀刻工艺，利用蚀刻阻挡层图案在离子注入阻挡层中刻出与蚀刻阻挡层图案相应的离子注入阻挡层图案，随后去除蚀刻阻挡层；最后，利用形成有离子注入阻挡层图案的离子注入阻挡层对硅片执行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
