[发明专利]一种恒流二极管结构有效
申请号: | 201510662347.7 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN105206683B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 傅立铭 | 申请(专利权)人: | 苏州汉克山姆照明科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215163 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种恒流二极管结构,包括P型衬底,还包括P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极,所述P型衬底顶部设置有P+注入区,所述P+注入区上方设置有N阱,所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区;所述P型衬底底部设置有阳极,所述N阱顶部中心位置设置有阴极。本发明提供的一种恒流二极管结构,直流等效阻抗低、低启动电压、交流等效阻抗高、负温度系数。 | ||
搜索关键词: | 注入区 恒流二极管 衬底 阴极 阳极 顶部中心位置 交流等效阻抗 负温度系数 等效阻抗 顶部设置 间隔设置 低启动 | ||
【主权项】:
1.一种恒流二极管结构,其特征在于:由P型衬底、P+注入区、N+注入区、N阱、阴极、阳极、P阱、电极组成,所述P型衬底顶部设置有P+注入区,所述P+注入区上方设置有N阱,所述N阱内对侧间隔设置有N+注入区;所述P型衬底底部设置有阳极,所述N阱顶部中心位置设置有阴极;所述P阱设置在N+注入区内;所述N+注入区数量设置为两个;所述电极设置在N+注入区、N阱、P阱的顶部。
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