[发明专利]一种避免浅沟槽隔离结构出现深度负载效应的方法

摘要

本发明主要涉及一种避免浅沟槽隔离结构出现深度负载效应的方法，藉由第一、第二开口刻蚀衬底，对应分别形成位于第一区域中的带有倾斜侧壁的第一沟槽和位于第二区域中的带有倾斜侧壁的第二沟槽，后续再刻蚀第二沟槽暴露出来的底部区，直至第一、第二沟槽的深度相同并且呈现为倾斜面的侧壁形貌。

主权项

1.一种避免浅沟槽隔离结构出现深度负载效应的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上形成硬质掩膜层，在衬底的第一区域之上的硬质掩膜层中形成第一开口和在衬底的第二区域之上的硬质掩膜层中形成第二开口；S2：藉由第一、第二开口刻蚀衬底，分别形成位于第一区域中的带有倾斜侧壁的第一沟槽和位于第二区域中的带有倾斜侧壁的第二沟槽，第一沟槽比第二沟槽要深；S3：在硬质掩膜层上覆盖旋涂碳基材料，旋涂碳基材料的一部分还将第一、第二沟槽两者均予以填充满；S4：干法回刻其旋涂碳基材料，直至将硬质掩膜层上方的旋涂碳基材料和将第二沟槽内的旋涂碳基材料完全回刻移除，将第一沟槽顶部的旋涂碳基材料回刻移除但保留第一沟槽底部的一部分旋涂碳基材料；S5：刻蚀衬底从第二沟槽底部暴露出来的部分以增加第二沟槽的深度，直至第一、第二沟槽的深度相同；S6：移除第一沟槽底部残留的旋涂碳基材料；硬质掩膜层包括底层的二氧化硅层和二氧化硅层上方的氮化硅层；在步骤S1中利用含CF4、O2的刻蚀气体移除抗反射涂层暴露于窗口图形中的部分。