[发明专利]一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510662798.0 申请日: 2015-10-14
公开(公告)号: CN106601855A 公开(公告)日: 2017-04-26
发明(设计)人: 杨与胜;王树林;宋广华;罗骞;庄辉虎;张超华 申请(专利权)人: 钧石(中国)能源有限公司
主分类号: H01L31/0747 分类号: H01L31/0747;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 362000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,所述方法包括a)在N型硅片的两面制绒,形成金字塔绒面;b)在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层,另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层;c)在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上沉积透明导电薄膜层;d)在N型硅片两面的透明导电薄膜层上沉积金属层;e)在N型硅片两面的金属层上形成金属栅线电极;f)去除金属栅线电极区域外的金属层。本发明可以使低温金属与透明导电膜之间形成好的接触,同时可以去除金属栅线边缘的高分子遮挡层,有利于降低电池的串联电阻,增加太阳能电池的有效吸收光,进而提升转换效率。
搜索关键词: 一种 双面 发电 异质结 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
一种双面发电异质结太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a)在N型硅片的两面制绒,形成金字塔绒面;b)在制绒后的N型硅片的其中一面沉积第一本征非晶硅薄膜层和N型非晶硅薄膜层,另一面上沉积第二本征非晶硅膜层和P型非晶硅薄膜层;c)在N型非晶硅薄膜层和P型非晶硅薄膜层上沉积透明导电薄膜层;d)在N型硅片两面的透明导电薄膜层上沉积金属层;e)在N型硅片两面的金属层上形成金属栅线电极;f)去除金属栅线电极区域外的金属层。
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