[发明专利]一种氧化镓晶片去应力退火方法

摘要

本发明公开了一种氧化镓晶片去应力退火方法，本发明将氧化镓晶片装载到辅助陶瓷工装架（1）上，再把辅助陶瓷工装架（1）置于退火用晶钵（2）内，向晶钵内填满氧化镓晶体粉末，然后采用三段式升温，保温的方法，200～300℃，保温3～5h；600～800℃，保温6～10h；1000～1200℃，保温10～20h；然后降温得到去应力的氧化镓晶片。本发明通过大量实验筛选得到最佳的加工工艺，尤其是最佳的升温温度，保温时间等，整个工艺方法设计合理，可操作性强，可有效的使氧化镓晶片研磨抛光加工前残留的应力缺陷得到均匀、充分的去除释放，大幅度降低氧化镓晶片研磨抛光后的翘曲和弯曲程度，提高氧化镓晶片加工质量。

主权项

一种氧化镓晶片去应力退火方法，其特征在于，包括以下步骤：a、将氧化镓晶片装载到辅助陶瓷工装架（1）上，再把辅助陶瓷工装架（1）置于退火用晶钵（2）内，向晶钵内加入氧化镓晶体粉末（3），直至填满晶片和辅助陶瓷工装架（1）与退火用晶钵（2）之间的间隙，并覆盖所有需经退火处理的晶片； b、将退火炉（4）关起，缓慢通入保护气体氮气，气流速度控制在不要将退火用晶钵（2）内氧化镓晶体粉末（3）吹起即可；c、将退火炉(4) 升温至低温区域200～300℃，并保温3～5h，升温时间不得低于1.5h，且升温过程持续均匀；d、将退火炉（4）内温度继续提升至中温区域600～800℃，并保温6～10h，该阶段升温时间3～9h，且升温过程要求持续均匀；e、将退火炉内（4）内温度继续提升至高温区域1000～1200℃，保温10～20h，升温时间不得低于10h，且升温过程要求持续均匀；f、高温区域保温结束后，将退火炉内（4）以每小时10～20℃降温至室温，关闭氮气，出炉，取出去应力退火处理过的氧化镓晶片。