[发明专利]鳍式场效应晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201510662851.7 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105448968B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 李杰;赵立新;王永刚 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种鳍式场效应晶体管的制作方法，方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成至少一个鳍形结构及位于所述鳍形结构周围的介质层；刻蚀鳍形结构两侧的部分介质层，形成位于鳍形结构两侧的凹槽；填充栅极层；刻蚀栅极层，形成覆盖凹槽底部和凹槽之间鳍形结构表面的栅极结构，所述栅极结构为倒U型；所述鳍式场效应晶体管的栅极结构沿沟道方向的上部长度由栅极刻蚀定义；所述鳍式场效应晶体管的栅极结构沿沟道方向的下部长度由凹槽定义。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成至少一个鳍形结构及位于所述鳍形结构周围的介质层；刻蚀鳍形结构两侧的部分介质层，形成位于鳍形结构两侧的凹槽；填充栅极层；刻蚀栅极层，形成覆盖凹槽底部和凹槽之间鳍形结构表面的栅极结构，所述栅极结构为倒U型；所述鳍式场效应晶体管的栅极结构沿沟道方向的上部长度由栅极刻蚀定义；所述鳍式场效应晶体管的栅极结构沿沟道方向的下部长度由凹槽定义。
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