[发明专利]封装系统在审

专利信息
申请号: 201510663122.3 申请日: 2010-12-06
公开(公告)号: CN105280604A 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: 吴伟诚;侯上勇;郑心圃;余振华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L25/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 金鹏;张浴月
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种封装系统,此封装系统包括:一第一中介层,其中第一中介层包括:一第一内连线结构;一第一基板,设置于第一内连线结构之上,其中第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中;以及一模封化合物材料,设置于第一内连线结构之上且围绕第一基板;一第二中介层,设置于第一中介层之上;以及一第一集成电路,设置于第二中介层之上;其中第二中介层包括多个第三内连线结构以及设置于多个第三内连线结构之间的一第三基板,其中第三基板的热膨胀系数等于第一基板的热膨胀系数,且其中第一集成电路通过第二中介层的多个第三内连线结构与第一硅穿孔结构电性耦合。本发明可解决由有机基板与晶粒裸片基板之间热膨胀系数不匹配所造成的问题。
搜索关键词: 封装 系统
【主权项】:
一种封装系统,包括:一第一中介层,其中该第一中介层包括:一第一内连线结构;一第一基板,设置于该第一内连线结构之上,其中该第一基板包括至少一第一硅穿孔结构形成于其中;以及一模封化合物材料,设置于该第一内连线结构之上且围绕该第一基板;一第二中介层,设置于该第一中介层之上;以及一第一集成电路,设置于该第二中介层之上;其中该第二中介层包括多个第三内连线结构以及设置于所述多个第三内连线结构之间的一第三基板,其中该第三基板的热膨胀系数等于该第一基板的热膨胀系数,且其中该第一集成电路通过该第二中介层的所述多个第三内连线结构与该第一硅穿孔结构电性耦合。
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