[发明专利]基板处理设备和基板处理方法在审
| 申请号： | 201510664584.7 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN105513998A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 佐藤谦治;佐藤登;佐藤淳 | 申请（专利权）人： | 株式会社佐藤化工机 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23F1/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种基板处理设备和基板处理方法。在对基板实施蚀刻处理的设备和方法中，防止蚀刻液(S)成为高温。将基板(33)浸渍到贮存于处理槽(2)的蚀刻液(S)中来对该基板(33)的端面(33a)进行蚀刻。当打开循环阀(11)来对循环泵(10)进行驱动时，该蚀刻液(S)依次经由循环槽(3)、贮存槽(7)、冷却槽(15)以及均衡槽(23)进行循环。在进行该循环时，向贮存于冷却槽(15)的蚀刻液(S)送入冷却空气(A)来对蚀刻液(S)进行冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理设备，具有用于贮存蚀刻液的处理槽，该基板处理设备构成为：通过将基板浸渍到贮存于该处理槽的蚀刻液中，来利用该蚀刻液对该基板进行蚀刻，该基板处理设备的特征在于，设置有蚀刻冷却单元，该蚀刻冷却单元向用于蚀刻上述基板的蚀刻液送入冷却空气来对该蚀刻液进行冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
