[发明专利]功率晶体管模型在审
| 申请号： | 201510665026.2 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105528471A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | K.比伊克塔斯;G.内鲍尔;A.施勒格尔;U.瓦尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;张涛 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及功率晶体管模型。描述了功率晶体管模型，所述功率晶体管模型包括源极漏极路径、在所述源极漏极路径中的第一电流源和压控第二电流源，所述第一电流源和压控第二电流源模拟被模拟的功率晶体管的静态电压电流关系，其中压控第二电流源模拟功率晶体管的漂移区的非线性行为。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 模型 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管模型，包括：源极漏极路径；在所述源极漏极路径中的第一电流源和压控第二电流源，模拟被模拟的功率晶体管的静态电压电流关系；其中压控第二电流源模拟功率晶体管的漂移区的非线性行为。
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