[发明专利]一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法在审

专利信息
申请号: 201510665217.9 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN105369217A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 钮应喜;杨霏;温家良;陈新 申请(专利权)人: 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司
主分类号: C23C16/32 分类号: C23C16/32;C23C16/44
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 102211 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,该方法包括:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar,保持反应室气压恒定,将H2流量逐渐增至60L/min,继续向反应室通气;(3)打开高频线圈感应加热器RF,逐渐增大该加热器的功率,当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀;(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时,保持温度和压强恒定,设置Al源流量,向反应室通入C3H8和SiH4,通过渐变调节通入反应室中Al源的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备,制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层,满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。
搜索关键词: 一种 基区缓变 掺杂 碳化硅 薄膜 外延 制备 方法
【主权项】:
一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,其特征在于,所述制备方法包括下述步骤:步骤一,将碳化硅衬底放置到碳化硅化学气相沉积设备的反应室中,将反应室抽成真空;步骤二,在氢气流中加热反应室;步骤三,对碳化硅衬底进行原位刻蚀;步骤四,设置生长条件,开始生长碳化硅外延层,包括下述步骤:(4.1)当反应室温度达到1580℃‑1600℃时,保持反应室温度和压强恒定;(4.2)将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源,将10ml/min‑15ml/min的氢气通入鼓泡器中,使氢气携带三甲基铝通入反应室中;(4.3)打开C3H8、SiH4和三甲基铝开关,流量为7mL/min的C3H8、流量为21mL/min的SiH4和流量为8.9mL/min的三甲基铝,生长p型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层6min,在此其间,三甲基铝流量由8.9mL/min逐渐减小到4mL/min;步骤五,在氢气流中冷却碳化硅衬底;步骤六,在氩气中冷却碳化硅衬底。
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