[发明专利]一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法在审
申请号: | 201510665217.9 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN105369217A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 钮应喜;杨霏;温家良;陈新 | 申请(专利权)人: | 国网智能电网研究院;国家电网公司;国网上海市电力公司 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/44 |
代理公司: | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人: | 徐国文 |
地址: | 102211 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,该方法包括:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H2直至反应室气压到达100mbar,保持反应室气压恒定,将H2流量逐渐增至60L/min,继续向反应室通气;(3)打开高频线圈感应加热器RF,逐渐增大该加热器的功率,当反应室温度升高逐渐至1400℃进行原位刻蚀;(4)当反应室温度到达到1580℃-1600℃时,保持温度和压强恒定,设置Al源流量,向反应室通入C3H8和SiH4,通过渐变调节通入反应室中Al源的流量生长P型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层。本发明的方法利用碳化硅的CVD设备,制备出纵向掺杂浓度梯度可控的碳化硅外延层,满足了制备梯度低掺杂外延层的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 基区缓变 掺杂 碳化硅 薄膜 外延 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基区缓变掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,其特征在于,所述制备方法包括下述步骤:步骤一,将碳化硅衬底放置到碳化硅化学气相沉积设备的反应室中,将反应室抽成真空;步骤二,在氢气流中加热反应室;步骤三,对碳化硅衬底进行原位刻蚀;步骤四,设置生长条件,开始生长碳化硅外延层,包括下述步骤:(4.1)当反应室温度达到1580℃‑1600℃时,保持反应室温度和压强恒定;(4.2)将液态三甲基铝放置于鼓泡器中用作掺杂源,将10ml/min‑15ml/min的氢气通入鼓泡器中,使氢气携带三甲基铝通入反应室中;(4.3)打开C3H8、SiH4和三甲基铝开关,流量为7mL/min的C3H8、流量为21mL/min的SiH4和流量为8.9mL/min的三甲基铝,生长p型缓变掺杂碳化硅薄膜外延层6min,在此其间,三甲基铝流量由8.9mL/min逐渐减小到4mL/min;步骤五,在氢气流中冷却碳化硅衬底;步骤六,在氩气中冷却碳化硅衬底。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的