[发明专利]一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器及其制备方法，所述存储器包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方。本发明的存储器由两个端电极和夹于两电极间的双层存储介质组成，通过参数优选和合理设计，使得该存储器的工作电流为微安级别，这为阻变存储器低功耗运行提供了保证。

主权项

1.一种基于双存储介质层的低功耗阻变存储器，其特征在于：包括一衬底；一第一端电极，设置于所述衬底上，并与所述衬底形成良好电接触；一双层阻变介质，设置于所述第一端电极的左侧或上方；一第二端电极，若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的左侧，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的左侧；若所述双层阻变介质设置于所述第一端电极的上方，则所述第二端电极设置于所述双层阻变介质的上方；其中，所述的双层阻变介质是由第一氧化层与第二氧化层组成的叠层结构；在第一氧化层与第二氧化层的层间，所述第一氧化层的吉布斯自由能低于所述第二氧化层的吉布斯自由能，所述第一氧化层的电子亲和势也低于所述第二氧化层的电子亲和势，所述第二氧化层的厚度≤15nm且所述第一氧化层的厚度大于所述第二氧化层厚度至少2nm；所述第二氧化层与所述第一端电极良好接触，所述第一氧化层与所述第二端电极良好接触。