[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201510666466.X | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106601618B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/205 |
| 代理公司： | 11336 北京市磐华律师事务所 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一III‑V族材料层和第二III‑V族材料层；蚀刻所述第二III‑V族材料层形成非对称的漏区；蚀刻所述第一III‑V族材料层形成鳍片；在所述鳍片的表面和/或侧壁上形成两种以上具有不同功函数的金属栅极，其中所述非对称的漏区位于所述金属栅极的一侧。该方法可以提高16nm及以下技术节点的半导体器件的性能和良率。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成第一III-V族材料层和位于所述第一III-V族材料层之上的第二III-V族材料层；/n蚀刻所述第二III-V族材料层形成，去除所述第二III-V族材料层位于漏区之外的部分，保留位于漏区的部分，以形成非对称的源漏区；/n蚀刻所述第一III-V族材料层形成鳍片；/n在所述鳍片的顶表面和/或侧壁上形成两种以上具有不同功函数的金属栅极，/n其中所述非对称的漏区位于所述金属栅极的一侧。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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