[发明专利]半导体结构

摘要

一种半导体结构，用以释放一静电放电电流，并包括一衬底、一第一掩埋层、一第二掩埋层、一第一阱、一第二阱、一第一掺杂区、一沟渠式栅极以及一第二掺杂区。第一及第二掩埋层形成在衬底之上。第一阱形成在第一掩埋层之上。第二阱形成在第二掩埋层之上，重叠部分第二掩埋层。第一掺杂区形成在第一阱之中。沟渠式栅极延伸进入第二阱以及第一掩埋层。第二掺杂区形成在第二阱之中，并接触沟渠式栅极。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构用以释放一静电放电电流，并包括：一衬底，具有一第一导电型态；一第一掩埋层，形成在所述衬底之上，并具有一第二导电型态；一第二掩埋层，形成在所述衬底之上，并具有一第三导电型态；一第一阱，形成在所述第一掩埋层之上，并具有所述第二导电型态；一第二阱，形成在所述第二掩埋层之上，重叠部分所述第一掩埋层，并具有所述第三导电型态；一第一掺杂区，形成在所述第一阱之中，并具有所述第三导电型态；一沟渠式栅极，延伸进入所述第二阱以及所述第一掩埋层；以及一第二掺杂区，形成在所述第二阱之中，接触所述沟渠式栅极，并具有所述第二导电型态；所述第一掩埋层与所述第二掩埋层不重叠，所述第一导电型态与所述第三导电型态相同且与所述第二导电型态不同。