[发明专利]一种半导体测试结构及测试方法

摘要

本发明提供一种半导体测试结构，包括：第一金属层，包括至少两条平行排列的接地金属线，相邻两条接地金属线之间形成有至少两个排列方向与所述接地金属线相同的长方形第一金属块；第二金属层，包括若干与所述第一金属块相对应的且连接于所述第一金属块顶部的金属导电柱；第三金属层，包括若干与所述金属导电柱相对应的长方形第二金属块，所述第二金属块连接于所述金属导电柱顶端，且排列方向垂直于所述接地金属线。本发明的测试结构具有结构简单的特点，可有效反映层间通孔金属层工艺；通过设置多个测试距离不同的区块，可以实时反馈在线工艺窗口大小，为工艺改善提供帮助；本发明的测试方法可以快速定位缺陷，能够及时反馈改善操作的效果。

主权项

1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括：第一金属层；所述第一金属层包括至少两条平行排列的接地金属线，相邻两条接地金属线之间形成有至少两个长方形第一金属块；所述第一金属块与所述接地金属线的排列方向相同；第二金属层；所述第二金属层包括若干与所述第一金属块相对应的金属导电柱，所述金属导电柱连接于所述第一金属块顶部；第三金属层；所述第三金属层包括若干与所述金属导电柱相对应的长方形第二金属块，所述第二金属块连接于所述金属导电柱顶端，且所述第二金属块的排列方向垂直于所述接地金属线；所述半导体测试结构包括至少两个区块，每个区块均由所述第一金属层、第二金属层及第三金属层组成；所述第一金属块与其左侧或右侧的接地金属线之间的距离为测试距离，且各个区块的测试距离不相等。