[发明专利]压力传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510666874.5 申请日: 2015-10-15
公开(公告)号: CN105527042B 公开(公告)日: 2020-06-05
发明(设计)人: 汤姆·科瓦 申请(专利权)人: 浙江盾安人工环境股份有限公司
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14;G01L1/18
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 王西江
地址: 310052 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种压力传感器组件,其包括:三个堆叠的硅片,所述硅片形成支撑件、传感器以及盖,其中所述传感器包括腔体,所述腔体从所述传感器的底部朝所述传感器的顶部向上延伸,以形成腔体底部和膜片;电介质层,其覆盖所述传感器的底部和所述腔体,并且其中所述支撑件沿所述传感器的底部耦合至所述电介质层;位于所述腔体的限定区域内的所述支撑件的顶部上的多个端口,所述多个端口延伸穿过所述支撑件至其底部,并且其中所述盖被耦合至所述传感器的顶部,覆盖所述膜片;以及,切入所述盖的底部的第二腔体,其中所述第二腔体的尺寸及位置被设置成包围所述膜片。
搜索关键词: 压力传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
一种压力传感器组件,包括:第一硅片,所述第一硅片具有顶部和底部;形成在所述第一硅片内的腔体,所述腔体从所述第一硅片的底部朝着所述第一硅片的顶部向上延伸,形成腔体底部,使得在所述腔体底部和所述第一硅片的顶部之间形成膜片;电路,其由设置在所述第一硅片的所述顶部的导电层形成;第二硅片,所述第二硅片沿所述第一硅片的所述底部耦合,并覆盖所述腔体,以形成室;电介质层,所述电介质层使所述室的内部与所述第一硅片之间电绝缘;多个端口,所述多个端口位于所述第二硅片的顶部的由所述腔体限定的区域内,所述多个端口延伸穿过所述第二硅片到达所述第二硅片的底部;第三硅片,所述第三硅片被耦合至所述第一硅片的所述顶部,使得所述第三硅片覆盖所述膜片;以及第二腔体,所述第二腔体切入所述第三硅片的底部,其中所述第二腔体的尺寸及位置被设置成使得所述第二腔体包围所述膜片。
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