[发明专利]电阻式存储器装置及其写入方法有效
| 申请号： | 201510669711.2 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN106373606B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈达;林孟弘;王炳琨;廖绍憬;周诠胜 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器装置及其写入方法，包括：接收逻辑数据，并且选择电阻式存储单元；判断逻辑数据的逻辑准位；当逻辑数据为第一逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第一读取电流大于第一参考电流，在写入期间，提供设定脉冲以及重置脉冲至电阻式存储单元；以及当逻辑数据为第二逻辑准位时，其中电阻式存储单元的第二读取电流小于第二参考电流，在写入期间，提供重置脉冲至电阻式存储单元。重置脉冲及设定脉冲的极性相反。另外，一种电阻式存储器装置也被提出。本发明提供的电阻式存储器装置，可正确地写入数据。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器装置的写入方法，其特征在于，包括：接收一逻辑数据，并且选择一电阻式存储单元；判断所述逻辑数据的逻辑准位；以及当所述逻辑数据为一第一逻辑准位时，所述电阻式存储单元的一第一读取电流大于一第一参考电流，在一写入期间，提供一设定脉冲以及一重置脉冲至所述电阻式存储单元，包括：在所述第一读取电流小于所述第一参考电流时，先提供所述设定脉冲至所述电阻式存储单元；以及在提供所述设定脉冲至所述电阻式存储单元之后，再提供所述重置脉冲至所述电阻式存储单元，其中所述重置脉冲及所述设定脉冲的极性相反；以及当所述逻辑数据为一第二逻辑准位时，其中所述电阻式存储单元的一第二读取电流小于一第二参考电流，在所述写入期间，提供所述重置脉冲至所述电阻式存储单元，其中所述第一参考电流不同于所述第二参考电流，其中所述设定脉冲降低所述电阻式存储单元的一电阻，并且所述重置脉冲增加所述电阻式存储单元的所述电阻。
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