[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510669722.0 申请日: 2015-10-13
公开(公告)号: CN106601856B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 代盼;陆书龙;吴渊渊;谭明;季莲;杨辉 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L31/078 分类号: H01L31/078;H01L31/0352
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种三结太阳能电池,包括Si子电池、以及在Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池。本发明还公开了三结太阳能电池的制备方法,包括:制备Si子电池;在Si子电池上依次叠层制备过渡层组、第一隧道结以及AlGaAs子电池;在AlGaAs子电池上依次叠层制备第二隧道结以及AlGaInP子电池。根据本发明的三结太阳能电池能够有效拓宽Si子电池的光谱覆盖范围,提高电池的开路电压,从而提高电池效率;同时,本发明的三结太阳能电池通过激活硅衬底形成Si子电池,以硅片为衬底,利用了其成本低、机械强度高和有利于大面积集成等优点,也为大规模制造提供了可能。
搜索关键词: 子电池 三结太阳能电池 制备 隧道结 叠层 过渡层 大规模制造 电池效率 开路电压 硅衬底 衬底 硅片 光谱 电池 激活 覆盖
【主权项】:
1.一种三结太阳能电池,其特征在于,包括Si子电池,以及在所述Si子电池上依次叠层设置的过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结、AlGaInP子电池;其中,所述Si子电池、过渡层组、第一隧道结、AlGaAs子电池、第二隧道结和AlGaInP子电池依次晶格匹配;所述Si子电池包括按照远离所述过渡层组的方向依次叠层设置的n型扩散层、p型层及第一背场;所述n型扩散层的材料为磷化镓,所述p型层的材料为p型单晶硅片,所述第一背场的材料为硼。
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