[发明专利]非晶硅PIN光电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201510670067.0 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105244403A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陈平;卢亚宾;刘伟伟;张振中;李博研;赵东旭;林列 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | H01L31/075 | 分类号： | H01L31/075;H01L31/0216;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武 |
| 地址： | 300071 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种非晶硅PIN光电池，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。上述非晶硅PIN光电池，当亚微米银颗粒被入射光激发时，其内部的自由电子产生的局域表面等离子体共振效应，通过将亚微米银颗粒与依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层和p型非晶硅层结合相互作用，能够有效提高非晶硅PIN光电池的光谱响应能力。此外，还提供一种非晶硅PIN光电池的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 非晶硅 pin 光电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种非晶硅PIN光电池，其特征在于，包括依次层叠的衬底、n型非晶硅层、i型非晶硅层、p型非晶硅层和亚微米银颗粒层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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