[发明专利]一种以纳米硫锡化物为空穴层的太阳能电池在审
申请号: | 201510670695.9 | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN106601913A | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 郭新 | 申请(专利权)人: | 淮阴工学院 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 223003 江苏省淮安市高教园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种以纳米硫锡化物为空穴传输层的太阳能电池。该电池包括透明导电阳极衬底和依次层叠于该衬底上的纳米硫锡化物空穴传输层、光活性层、电子传输层和阴极层。本发明的特点是采用的硫锡化物为纳米结构。采用纳米硫锡化物作为空穴传输层的优点是可提高太阳能电池的光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 纳米 硫锡化物 空穴 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种以纳米硫锡化物为空穴传输层的太阳能电池,其结构依次为:(1)透明导电阳极衬底、(2)空穴传输层、(3)光活性层、(4)电子传输层、(5)阴极层,其特征在于:所述的空穴传输层(2)的纳米材料种类是二硫化锡、硫化亚锡、硫化亚锡与二硫化锡复合材料、氧掺杂的硫化亚锡、氧掺杂的二硫化锡、氧掺杂的硫化亚锡与二硫化锡复合材料,其中,硫化亚锡与二硫化锡纳米复合材料中硫化亚锡的质量分数为5%至95%;氧掺杂的硫化亚锡、氧掺杂的二硫化锡、氧掺杂的硫化亚锡与二硫化锡纳米复合材料中,氧的质量含量为0.01% 至5%。
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